2025年，SiC衬底市场将持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力。

根据TrendForce最新研究，受2024年汽车和工业需求走弱，SiC衬底出货量成长放缓，与此同时，市场竞争加剧，产品价格大幅下跌，导致2024年全球N-type（导电型）SiC衬底产业营收年减9%，为10.4亿美元。

进入2025年，即便SiC衬底市场持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力，但长期成长趋势依旧不变，随着成本逐渐下降和半导体元件技术不断提升，未来SiC的应用将更为广泛，特别是在工业领域的多样化。同时，激烈的市场竞争将加速企业整合的力道，重新塑造产业发展格局。

在市场占有率方面，Wolfspeed仍保持第一名，2024年市占率达33.7%。尽管近年面临较大的运营挑战，Wolfspeed仍是SiC材料市场最重要的供应商，并引领产业向8英寸衬底转型。

中国厂商TanKeBlue（天科合达）和SICC（天岳先进）近年发展迅速，2024年二者市占率相差无几，分别以17.3%和17.1%位列第二、三名。其中天科合达是中国本土功率电子市场最大的SiC衬底供应商，而天岳先进则在8英寸晶圆市场中占据领先地位。Coherent则下滑至第四名，市占率约13.9%。

在衬底尺寸方面，由于现行主流的6英寸SiC衬底价格快速下降，以及8英寸SiC前段制程的技术难度较高，加上市场环境剧烈变化，预计6英寸衬底将持续占据SiC衬底市场的主导地位。但8英寸衬底是进一步降低SiC成本的必然选择，且有助SiC芯片技术升级，吸引各大厂商积极投入，预估8英寸SiC衬底的出货份额将于2030年突破20%。

SiC衬底的制备难度

衬底制造商属于整个碳化硅半导体器件产业链的上游参与者，是产业链中将原材料转化为可供下游使用的衬底产品的关键环节。衬底经过外延生长后，被用于制造各种功率器件、射频器件等。这些器件广泛应用于新能源汽车、数据中心光伏及储能、电力供应、轨道交通及新兴产业等领域。

根据电学性能差异区分，碳化硅衬底分为导电型衬底和半绝缘型衬底。导电型衬底通过同质外延工艺，生长出与衬底材料特性一致的外延层，主要应用于碳化硅功率半导体器件的制造。而半绝缘型衬底一方面可采用异质外延技术，生长出与衬底材料特性不同的氮化镓外延层，主要用于射频器件的生产。

而根据衬底尺寸区分，碳化硅衬底可分为2英寸、4英寸、6英寸、8英寸和12英寸的产品，不同技术路线下各尺寸碳化硅衬底的研发和商业化进展有所不同。

值得注意的是，碳化硅衬底制备过程高度复杂，存在诸多难点：

首先是生长过程难度高，碳化硅单晶生长过程中的缺陷控制极具挑战性，其一缺陷类型多样且棘手；其二碳化硅晶型繁杂，涵盖200余种结构，其三热场因素引发诸多问题，热场中的温度梯度会催生热应力，加之生长进程中温度、组分频繁波动，位错等缺陷极易产生。

其次是粉料合成困难，合成环境会产生影响，且原辅材料中含有固有且无法去除的杂质，而杂质会直接影响晶体的纯度及电学性能。

第三是加工难度高，为满足下游外延工艺即用型的高标准要求，超精密表面加工至关重要。此外，碳化硅衬底的高硬度和脆性使得切割、研磨及抛光流程耗时且易出现崩边情况。

第四是生产一致性难度高，碳化硅衬底的质量受材料纯度、工艺控制能力、设备精度、检测能力等关键环节的共同影响，任一环节的不稳定性都将影响终端产品质量一致性。

SiC衬底缘何价格下降

2024年，国内6英寸SiC衬底价格全年降幅超40%，从年初的4000-4500元跌至2500-2800元，直逼成本线。在产能方面，截至2024年3月，国内SiC外延片的年产能已接近200万片，未来规划总产能更是突破700万片。

SiC价格变动主要是由下游需求推动的。第一是新能源汽车需求旺盛，SiC器件成本敏感度高，随着电动车渗透率持续提升，车企大规模采购SiC模块，促使供应商通过规模效应降低成本。其次是光伏与储能市场，SiC器件的高耐温、高效率特性使其在新能源应用中不可替代。随着“双碳”政策推进，光伏装机量和储能需求激增，SiC衬底与外延片的需求同步增长，推动价格下降。

2025年，SiC衬底价格预计还会接着下降，根据相关预测，2025年6英寸SiC衬底价格下降幅度预计放缓至10-20%，底线可能稳定在2000元以上；8英寸SiC衬底当前价格8000-10000元，预计可快速降至5000元以内，但受限于良率，短期内仍难成为市场主流。

值得注意的是，有分析认为2025年SiC市场将进入淘汰赛阶段，中小企业因资金和技术实力不足或将被市场淘汰，而具备完整产业链布局的龙头企业将占据更大市场份额。

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